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NTR4502P, NVTR4502P
500
400
300
200
100
0
V DS = 0 V
C ISS
C RSS
C RSS
V GS = 0 V
C OSS
C ISS
T J = 25 ° C
10
5
0
5
10
15
20
25
30
? V GS
? V DS
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE
VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
12
10
8
6
4
Q GS
Q GD
Q T
18
15
12
9
6
2
0
I D = ? 1.95 A
T J = 25 ° C
3
0
0
1
2
3
4
5
6
7
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
100
3
V DS = ? 15 V
I D = ? 1.95 V
V GS = ? 10 V
2.5
T J = 25 ° C
10
t d(off)
t r
t f
2
1.5
t d(on)
1
0.5
1
1
10
100
0
0.3
0.6
0.9
1.2
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
http://onsemi.com
4
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
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